汉威 ，一家私人拥有的老牌企业，主要设计和制造标准和定制光电元件和组件，包括UV，可见光，近红外和短波红外发射器，探测器，InP外延片和其他材料，今天宣布成功开发InP分体式电磁流量计量产技术，用于超高速（5G）大容量信号处理应用。

汉威的研发工作是在超高速InP HBT和HEMT分体式电磁流量计生长技术的25年专家Gako Araki博士的指导下进行的。作为汉威团队自2010年以来的成员，Araki博士的经验还包括在日本东京的新能源和工业技术开发组织（NEDO）和NTT Advance Technology Corporation进行的一系列相关研发任期。

研究分两个阶段进行。第一阶段包括使用小型原型MOCVD设备（4inch.x4）开发的超高速（5G）lnP分体式电磁流量计生长技术。第二阶段包括使用大批量生产MOCVD设备（称为GAKOUS（4inch.x10））的实际超高速（5G）lnP分体式电磁流量计制造。鉴于真正的lnP-HBT分体式电磁流量计性能测试需要对更大的HBT器件进行电气特性评估，汉威将研发工作重点放在开发新的制造设备上，这些设备可以生产具有必要的均匀质量，尺寸和质量的InP-HBT分体式电磁流量计。 - 容量超高速（5G）信号处理应用。通过新的晶体制造方法成功实现了这些目标：来自该设备的小型MOCVD原型的汉威评估显示出有利的性能特征。